Void Free AMB Substrate
KI 作为全球首家，自 2022 年起开始 AMB 的量产与供货。
KI 的特殊工艺可在铜与陶瓷之间的界面保持无空洞（Void）的接合状态。
在异种材料的接合中，由于热膨胀系数差异，围绕空洞（Void）处的结合力可能减弱并发生剥离，从而对应用于电动汽车与航天领域的功率模块运行可靠性造成重大影响。
KI AMB 以高可靠性为基础，已广泛应用于电动汽车功率模块及卫星电源模块。
- Application
- Power Modules for xEV, renewable energy, aerospace
- Features
- Void Free in interface between copper and ceramic
- Thermal Shock Test : 3000 Cycles
- Test Condition : -55~150℃, 30 min/cycle, Total 1500 Hours
- Major reference
- EV Power module : German EV power module
- Satellite Power module : China Satellite
- Industrial Power module : Littelfuse TO-247 (ISO-247), SMPD
Void Free Picture
Data sheet
| Product | STC Substrates | AMB Substrates | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Ceramic materials | Al2O3 | AlN-170 | AlN-130 | AlN-170 | Si3N4 | ||
| Raw Materials | Ceramic thickness (mm) | 0.25 / 0.38 / 0.635 / 1.0 | 0.38 / 0.635 | 0.25 / 0.38 / 0.635 / 1.0 | 0.25 / 0.32 | ||
| Cu thickness (mm) | 0.006~0.3 | 0.127 / 0.3 / 0.4 / 0.5 / 0.8 | |||||
| Thermal | CTE | ppm/K @ 20°C - 400°C | 6.7 | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 2.6 |
| Thermal conductivity | W/mK @ 25°C | 24 | 180 | 130 | 180 | 85 | |
| Mechanical | Bending strength | MPa | 400 | 450 | 650 | 450 | 800 |
| Fracture toughness | MPa･√m | 3.0 | 3.0 | 2.4 | 3.0 | 6.5 | |
| Electrical | Breakdown strength | kV/mm (DC) | >15 | >15 | >15 | >15 | >15 |
| Electrical resistivity | Ω·cm @ 25℃ | >1014 | >1014 | >1014 | >1014 | >1014 | |